我們（men）生產的（de）為非晶矽薄膜（mó）太陽能電池，了解 PECVD設備（bèi）及工藝需要對真空鍍膜有一個了解，並且對半導體物（wù）理及薄膜知識有一定的認識。不同設備和不（bú）同類型規格的薄膜要采用（yòng）適當的分切工（gōng）藝，設備狀況變化時也可以通過工藝調整給予彌補，但工藝調整必（bì）須謹慎。我（wǒ）們先對進口真（zhēn）空泵及薄膜（mó）的基（jī）礎概念做一個粗略（luè）的了解。

關於進口真空泵及薄膜的基礎概念，東莞市香蕉污视频真（zhēn）空科技有限公司分為兩個方麵進行分析（xī）。

關於（yú）薄膜的基礎概念，有以下幾個方（fāng）麵。

①薄膜：在嚴格的學術意義上，認為隻有聚集厚度小於某一特征厚度的材料才是真正的薄膜，否則便是一般的薄材料。

②特征（zhēng）厚度：是利用物質的某些基本性質（zhì）在物質聚集厚度很薄的情況下（xià）會發生（shēng）異常變化的現象而確定的，即（jí）當被選（xuǎn）定為參考的某一物理性質或機械性質開始顯示出不同於它通（tōng）常所具（jù）有的特點時的厚度，便是給物質的薄膜（mó）特征厚度。可以認為薄膜（mó）是一種二維的材料。

③沉積技術：

氣相沉積（將構成薄膜的物質氣（qì）化後在沉積到襯（chèn）底上）。

液（yè）相（xiàng）沉積（在液體中沉積鍍膜）。

氣相沉積：比較容（róng）易（yì）控製薄膜的組分。

液相沉積：在（zài）接近（jìn）於熱平衡的條件下成膜，能獲得較妤（yú）的膜質。

薄膜的主要性能（néng）

①膜厚：越均勻越妤，一般應控製（zhì）在一個範圍以內比（bǐ）如5%，這（zhè）與玻璃基（jī）板尺寸有關。

②膜表麵形貌：通過掃描電子顯（xiǎn）微鏡（SEM）投射電子顯微鏡（TEM）等分析表明顆粒狀態，可獲得薄膜表麵的致密情況，缺陷狀態，退火處理對膜表麵的影響等信息。

③膜機構特性：用Ⅹ射線衍射分析膜的組成成分，可獲得膜的純度等信息。

膜應力（lì）：薄膜內部的應力越小越好，通過退火處理可最大程度的釋放膜的（de）內部應（yīng）力。

④膜（mó）與襯底的接（jiē）觸特性：主要是指薄膜（mó）與襯底之間的附著（zhe）力，當（dāng）然附著力越強越好，可（kě）避免薄膜出現缺失，開路（lù）等。

⑤膜的致密性：主要指的是膜層的（de）硬度（dù）和抗磨性。避免外界劃（huá）傷引起的（de）開路現膜的化學，熱穩定性。

⑥針對金屬膜層：要求製備出的金屬膜層的電阻率盡可（kě）能低，接近體電阻率。

關於進口真空（kōng）泵的基礎概念

①真空：低於一個大氣壓的狀態就是真空（kōng）。

②真空度：真空狀態下氣體的稀薄程度。

③標準環境條（tiáo）件：溫度20°C，相對濕度65%，大氣壓力101325Pa。

④真空特點：氣（qì）體分子平均自由程大；單位麵積上（shàng）分子與固體（tǐ）表（biǎo）麵碰撞（zhuàng）幾（jǐ）率變小（xiǎo）；氣（qì）體分子密度低；剩（shèng）餘氣體對沉積膜的摻雜減小。要想獲得（dé）高品質（zhì）的薄膜就必須有一（yī）個比較理想（xiǎng）的本底（dǐ）真空。

進口真空泵的不同真空狀態（tài）下真空工藝應用（yòng）

⒈粗真空（kōng）（10000-1000Pa）：氣體狀態與常壓相比隻是分子數量的減少，沒有氣體（tǐ）空（kōng）間（jiān）特性（xìng）的變化，分子間碰撞（zhuàng）頻繁，此時的吸附氣體釋放可以不予考慮，氣體運動以粘滯流為（wéi）主。主要是利用壓力差產生的力來實現真空力學應用（真空（kōng）吸引或運輸固體、液體、膠體（tǐ）等真空吸盤起重，真空過濾）

⒉低真空（1000-0.1Pa）：氣體分子間，分子與（yǔ）器壁間碰撞不相上下，氣體分子密度較小（xiǎo），氣體釋放也可不（bú）考慮，氣體運動以中間流為主。利用氣（qì）體分子密度降低可實現（xiàn）無氧化加熱，利用氣壓降低時氣體的熱傳（chuán）導和（hé）對流逐漸消失的原（yuán）理可以（yǐ）實現真空隔熱（rè）及絕緣，利用（yòng）壓（yā）強降低液體沸點（diǎn）也降低的原理實現真空冷凍和真（zhēn）空幹燥（黑色金（jīn）屬真空熔煉脫氣，真空（kōng）絕緣和真空隔熱，真空冷凍及（jí）千燥，高速（sù）空（kōng）氣動力學實（shí）驗中的低壓風洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：氣體分子間相互碰撞極少（shǎo），氣體分子與器壁間碰撞頻繁，氣體運動以分子流為主，此時（shí）的氣體（tǐ）釋放是影響真空度及抽氣時（shí）間的一個主要原因。利用氣（qì）體分子密度低，任（rèn）何物質與（yǔ）氣體殘餘分子發生化學（xué）作用微弱的特點進行（háng）真空冶（yě）金，真空鍍膜（超純金屬、半導體（tǐ）材料的真空提純（chún）及精製，真空鍍膜，離子注入、幹法刻（kè）蝕等（děng）表麵改性，真空器件的生產：光電管、各種粒子加速器等）。

⒋超高真空（>0.0000Pa）：氣體分子與器壁的碰撞次數極少，氣體空間隻（zhī）有固體本身的原子，幾（jǐ）部沒有別的分子或原子的（de）存在，此時壓強（qiáng）的升高（gāo）除了泄漏外主要（yào）就是器壁分子（zǐ）的釋放。應（yīng）用：宇宙空間環境的（de）模擬，大型同步質子加速器（qì）的運轉。